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2018-2019-1 20165301 《信息安全系统设计基础》第五周学习总结
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发布时间:2019-06-09

本文共 1107 字,大约阅读时间需要 3 分钟。

2018-2019-1 20165301 《信息安全系统设计基础》第五周学习总结

  • 学习目标
    • 了解常见的存储技术(RAM、ROM、磁盘、固态硬盘等)
    • 理解局部性原理
    • 理解缓存思想
    • 理解局部性原理和缓存思想在存储层次结构中的应用
    • 高速缓存的原理和应用
  • 学习任务
    • 阅读教材,完成课后练习(书中有参考答案),考核:练习题把数据变换一下
    • 教材中相关代码运行、思考一下,读代码的学习方法见「代码驱动的程序设计学习」。
    • 教材练习重点:6.2 6.3 6.4 6.8 6.9 6.10 6.11 6.12 6.13
  • 随机访问存储器
    • 静态RAM:存储器单元具有双稳态特性,只要有电就会永远保持它的值,干扰消除时,电路就会恢复到稳定值。
    • 动态RAM:每一位的存储是对一个电容的充电;对干扰非常敏感。
    • 传统的DRAM:DRAM芯片中的单元(位)被分成了d个超单元,每个超单元都由w个DRAM单元组成, 一个d*w的DRAM共存储dw位信息。超单元被组织成一个r行c列的长方形阵列,rc=d。每个超单元的地址用(i,j)来表示(从零开始)。设计成二维矩阵是为了降低芯片上地址引脚的数量。
    • 内存模块:DRAM芯片封装在内存模块中,它插到主板的扩展槽上。Core i7系统使用的240个引脚的双列直插内存模块,它以64位为块传送数据到内存控制器和从内存控制器传出数据。
    • 增强的DRAM
      • 快页模式DRAM(FPM DRAM):异步控制信号,允许对同一行连续的访问可以直接从行缓冲区得到服务。
      • 扩展数据输出DRAM(EDO DRAM):异步控制信号,允许单独的CAS信号在时间上靠的更紧密一点
      • 同步DRAM(SDRAM):同步的控制信号,比异步的快
      • 双倍数据速率同步DRAM(DDR SDRAM):使用两个时钟沿作为控制信号,使DRAM速度翻倍。
      • Rambus DRAM(RDRAM):一种私有技术
      • 视频RAM(VRAM):用在图形系统的帧缓冲区中。
    • 访问主存:数据流通过称为总线的共享电子电路在处理器和DRAM主存之间来来回回。每次CPU和主存之间的数据传送都是通过一系列步骤来完成的,这些步骤称为总线事务。读事务从主存传送数据到CPU,写事务 从CPU传送数据到主存.
  • 磁盘存储
    • 磁盘容量:计算公式磁盘容量=字节数/扇区 * 平均扇区数/磁道 * 磁道数/表面 * 表面数/表盘 * 盘片数/磁盘
  • 高速缓存存储器
    • 高速缓冲存储器是存在于主存与CPU之间的一级存储器, 由静态存储芯片组成,容量比较小但速度比主存高得多, 接近于CPU的速度。

转载于:https://www.cnblogs.com/CTF5301/p/9867961.html

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